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民进中央:建议集中突破硅材料6代功率芯片,通过收购难实现

原标题:进入中央政府的人:建议重点突破第六代硅功率芯片,这是很难通过收购实现的。 根据人民网、中国统一战线新闻网和中国共产党新闻网发表的《2020年全国人民代表…

原标题:进入中央政府的人:建议重点突破第六代硅功率芯片,这是很难通过收购实现的。

根据人民网、中国统一战线新闻网和中国共产党新闻网发表的《2020年全国人民代表大会和全国人民代表大会民主党派提案选编》的报道,民进党中央委员会计划提交关于促进中国电力半导体产业科学发展的提案。

功率半导体是电力设备、轨道交通和新能源技术升级的关键。近年来,在一系列国家政策措施的支持和推动下,功率半导体领域呈现出百花齐放的良好态势。

然而,该提案指出,目前,从全球功率半导体市场来看,一方面,传统的硅功率半导体仍有巨大的发展空间。一些研究表明,碳化硅和氮化镓等新材料在全球市场的应用价值约为3亿美元,硅功率半导体芯片的市场应用价值超过200亿美元。IGBT芯片在国际市场上的主流是第五、第六和第七代硅材料产品。国际功率半导体行业认为,硅材料功率半导体材料已经被证明是稳定、可靠、价格低廉的,并且具有技术发展的空间。在未来至少7到8年内,它们仍将是市场应用的主流。

另一方面,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料正在蓬勃发展,而我国碳化硅和氮化镓功率半导体器件的研发起步较晚,技术上仍存在较大差距。幸运的是,在许多国家科学研究项目的支持下,与国际社会的技术差距已经大大缩小,并取得了许多成就。

田认为,随着工业、汽车、无线通信、消费电子等领域新应用的不断涌现,以及节能减排需求的日益迫切,中国电力半导体市场需求巨大,很容易催生新产业和新技术。在国家优惠政策下,功率半导体将成为“中国核心”的最佳突破口。

为此,民进党中央委员会建议:

一是进一步完善功率半导体产业发展政策,大力支持硅功率半导体芯片技术研究,建立支持硅功率半导体材料、芯片、器件等设计制造工艺技术的项目。经过多年的布局和发展,中国在硅IGBT芯片技术上已经有了一定的技术基础和积淀。重点突破6代硅功率芯片产品设计和批量制造技术,采取“先易后难”的发展战略,解决“有无”问题,尽快实现功率半导体芯片的自主供应。

第二,加强新材料的科技研究。大数据传输、云计算、人工智能技术、物联网和能源传输对网络传输速度和容量提出了越来越高的要求。大功率芯片的市场需求非常大。从工业发展趋势来看,碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体具有明显的优势,这是下一代功率半导体的核心技术方向。目前,碳化硅和氮化镓市场还处于起步阶段,国内厂商与海外传统巨头的差距相对较小,国内企业有望在当地市场赶超。

首先,新型功率半导体材料的研发应纳入国家计划,全面部署,努力抢占战略制高点。其次,要引导企业积极满足未来应用需求,进行前瞻性布局。我们将敦促领先的功率半导体企业努力克服工业发展中的一些关键和应用技术问题,抓住国际竞争的第一个机会。最后,我们应该避免对新概念的过度猜测。从发现潜力到产业化,新材料需要建立一个高效的产学研体系,以创造一个更加开放和包容的投资环境。

三、谨慎支持外资电力半导体企业收购。通过收购很难充分学习和掌握国际先进的功率半导体芯片设计和制造技术。与此同时,海外工厂生产的产品仍有不出口到中国的危险。

责任编辑:张深

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